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LED電子屏提高發(fā)光效率、減少散熱的新技術(shù)

2020-04-14 17:52:35

隨著led電子屏芯片技術(shù)的發(fā)展,今后還將出現(xiàn)更多提高led電子屏芯片發(fā)光效率的新技術(shù)。尤其是,將出現(xiàn)更好的芯片,提高LED芯片的抗靜電功能,降低LED芯片的熱量,提高發(fā)光效率。下面跟著迷你小編,看看能做什么。aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

1,透明襯底技術(shù)InGaAlPaDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

指示燈通常在GaAs基板上的外延生長InGaAlP  發(fā)光區(qū) GaP窗口區(qū)域制造。與InGaAlP相比,GaAs材料的帶隙寬度小得多,因此短波長光在發(fā)光區(qū)和窗口表面注射GaAs基板時均被吸收,成為設(shè)備發(fā)射效率不高的主要原因。在基板和限制層之間生長Bragg反射區(qū)域,使垂直于基板的射光反射回發(fā)光區(qū)或窗口,并且部分改進了設(shè)備的發(fā)光特性。更有效的方法是先移除GaAs基板,并用完全透明的GaP晶體取代。在led電子屏芯片內(nèi)去除基板吸收區(qū),將量子效率從4%提高到25-30%。為了進一步減少電極區(qū)的吸收,將這種透明襯底型InGaAlP裝置做成單面錐形,進一步提高了兩者的效率。aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

2、金屬膜反射技術(shù)aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

透明襯底進程最初由美國的HP、Lumileds等啟動,金屬膜反射法主要由日本、臺灣廠商進行大量研究和開發(fā)。這種工藝不僅規(guī)避了透明襯底專利,而且對規(guī)模生產(chǎn)更有利。效果可以說是透明襯底法和李谷同行的妙處。此過程通常稱為MB過程,是移除GaAs基板,將其表面與Si基板表面一起涂上al-metal膜,然后在一定溫度和壓力下進行焊接的過程。這樣,從發(fā)光層照射到基板的光被Al金屬膜反射到芯片表面,從而使設(shè)備的發(fā)光效率提高2.5倍以上。aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

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3、表面微結(jié)構(gòu)技術(shù)aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

表面微結(jié)構(gòu)過程是提高在led電子屏芯片表面刻蝕上具有大量光波長的小結(jié)構(gòu)的芯片表面上每個結(jié)構(gòu)被截斷的四面體形狀的設(shè)備的發(fā)光效率的另一有效技術(shù),這將擴大輸出區(qū)域,改變光在芯片表面的折射方向,從而顯著提高光的透射效率。據(jù)測量,窗層厚度為20m的裝置的發(fā)光效率可以提高到30%。窗層厚度減少到10m,發(fā)光效率提高了60%。對于波長在585-625nm的LED元件,在創(chuàng)建紋理結(jié)構(gòu)后,可以達到接近設(shè)備水平的30lm/w。4,倒裝芯片技術(shù)aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

MOCVD技術(shù)使基于GaN的LED結(jié)構(gòu)層在石基板上生長,P/N接頭發(fā)光區(qū)發(fā)出的光通過上述p 出。由于p型GaN的傳導(dǎo)性能不好,為了實現(xiàn)良好的電流擴展,必須通過蒸汽鍍技術(shù)在p區(qū)表面形成由Ni-Au層組成的金屬電極層。p區(qū)引線通過該層的金屬薄膜誘導(dǎo)。為了良好的電流擴展,Ni-Au金屬電極層不能太薄。為此,設(shè)備的發(fā)光效率受到很大影響。一般來說,電流擴展和發(fā)光效率兩個因素都要考慮。但是在任何情況下,如果金屬膜存在,總是會惡化透光的性質(zhì)。此外,由于引線 焊點的存在,led電子屏的發(fā)光效率也會受到影響。使用GaN  LED倒裝芯片結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上述問題。aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

5、芯片連接技術(shù)aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

led電子屏對所需材料有性能要求,通常帶寬大,材料的折射率需要大幅度變化。不幸的是,一般沒有天然的這種物質(zhì)。同質(zhì)外延生長技術(shù)一般不能形成所需的帶寬差異和折射指數(shù)差,在硅中外延GaAs和InP等一般異質(zhì)外延技術(shù)不僅成本高,而且耦合接口的電勢密度也很高,很難形成高質(zhì)量的光電集成裝置。低溫耦合技術(shù)可以大大減少不同材料之間的熱不匹配問題,減少應(yīng)力和電位,從而產(chǎn)生高質(zhì)量的裝置。隨著對粘接機制的理解和粘接工藝技術(shù)的成熟,多種不同材料的芯片之間可以相互結(jié)合,形成一些特殊用途的材料和裝置。在硅片上形成硅化物層,然后結(jié)合,形成新的結(jié)構(gòu)。由于硅化物的電導(dǎo)率高,可以替代雙極裝置的隱藏層,從而減少RC常數(shù)。aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

6、激光剝離技術(shù)(LLO)aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

激光剝離技術(shù)(LLO)利用激光能量分解GaN/藍寶石接口的GaN緩沖層,將LED外延薄膜與藍寶石基板分離。技術(shù)的優(yōu)點是,外延芯片可以轉(zhuǎn)移到熱導(dǎo)率高的熱針上,提高大型芯片的電流擴展。n面的發(fā)光區(qū)域增加,電極屏蔽小,便于制造微結(jié)構(gòu),減少刻蝕、磨削、薄片。更重要的是,藍寶石基板可以重復(fù)使用。aDF機械屏|開合屏|折疊屏|升降屏|滑軌屏|旋轉(zhuǎn)屏|伸縮屏源頭廠家迷你光電-MNLED

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