Micro LED技術(shù)挑戰(zhàn)Micro LED顯示器有可能嗎，業(yè)內(nèi)都在討論Micro LED技術(shù)挑戰(zhàn)Micro，led顯示屏廠家向您解讀是否有可能！
由于Micro LED的特性優(yōu)良，不論是在高亮度、高對比度、高反應性及省電方面，都優(yōu)于LCD及OLED，未來將可應用于穿戴式的手表、手機、車用顯示器、AR、VR、Monitor 、TV及大型顯示器應用。LEDinside分析，Micro LED技術(shù)雖面臨眾多的挑戰(zhàn)，對比兩年前，目前的技術(shù)進展已經(jīng)進步許多，早期的專利技術(shù)已經(jīng)有實體樣品展示機的出現(xiàn)，未來Micro LED商品化的時程將隨著Micro LED技術(shù)的成熟而進展，另外Micro LED制造流程繁瑣及要求更加精細，制程中所使用的原材料、制程耗材、生產(chǎn)設備、檢測儀器及輔助治具等，需求規(guī)格嚴謹且精密度相對嚴格。
Micro LED技術(shù)瓶頸分析
目前Micro LED 所面臨的技術(shù)瓶頸，共區(qū)分幾個面向，包括磊晶、晶片、巨量轉(zhuǎn)移、全彩化、接合、電源驅(qū)動、背板、檢測與維修技術(shù)，此份研究報告將針對Micro LED技術(shù)瓶頸做深入之探討及分析。
磊晶技術(shù)：目前Micro LED磊晶技術(shù)的挑戰(zhàn)，其一是希望提升波長一致性與厚度均勻性，使得波長更集中，大幅降低磊晶廠的后段檢測成本，其二，當LED Chip微縮至100微米以下時，LED Chip周圍因切割損傷造成不均勻的問題會造成漏電問題，并影響整體發(fā)光特性。
晶片技術(shù)：為了符合巨量轉(zhuǎn)移的制程，晶片需經(jīng)過弱化結(jié)構(gòu)的改變，以利自暫存基板上拾取晶片，并且增加絕緣層避免在轉(zhuǎn)移過程中晶片的受損，以保護及絕緣晶片。
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)：拾取放置技術(shù)可應用在大于10µm以上之產(chǎn)品，但UPH、轉(zhuǎn)移設備的精準度及穩(wěn)定度是一大隱憂，流體組裝技術(shù)可應用在大于20µm以上之產(chǎn)品，雖然可以提升UPH但需要分別轉(zhuǎn)移三次才能完成全彩化目標，激光轉(zhuǎn)移技術(shù)可應用在大于1µm以上之產(chǎn)品，但激光設備的價格昂貴，將會造成初期投資的負擔。
全彩化技術(shù)： RGB晶片的色轉(zhuǎn)換方案，目前在小于20μm的技術(shù)上將面臨光效率、良率不足等問題，量子點的色轉(zhuǎn)換方案，進而補足在小尺寸色轉(zhuǎn)換不足的技術(shù)，但量子點也有部分涂佈均勻性與信賴性等問題產(chǎn)生，須待技術(shù)克服。
接合技術(shù)：由于Micro LED的晶片過于微小，錫膏金屬成份粒徑較大，容易造成Micro LED正負極性導通，形成微短路現(xiàn)象，因此黏著技術(shù)將會是Micro LED制程關(guān)鍵的挑戰(zhàn)，現(xiàn)狀Micro LED的Bonding技術(shù)有Metal Bump、Glue、Wafer Bonding及Micro Tube四大方向。
電源驅(qū)動技術(shù)：主動式驅(qū)動陣列中，每個像素連接到電路并單獨驅(qū)動，這樣將允許Micro LED以較低的電流工作，同時在整個點亮時間內(nèi)持續(xù)維持亮度，不會有明顯的顯示亮度損失，但Micro LED驅(qū)動電流極小，使得電路設計複雜，驅(qū)動電源模組空間佈局將更為密集。
背板技術(shù)：背板形式共分為四種型態(tài)，玻璃、軟性基板、硅基板、PCB等。現(xiàn)階段以PCB背板應用最廣泛，主要是因為其尺寸相容性高，可利用拼接符合各種所需的尺寸，以及可依需求選擇符合的基材做相對應的背板。
檢測技術(shù)： Micro LED應用產(chǎn)品所使用的晶片數(shù)量甚多，并且Micro LED模組的光性及電性須正確且快速的判定之下，必須以巨量檢測的方式才能減少檢測時間及成本，要如何快速且準確的測試出良品是制程的一大問題，也是現(xiàn)階段Micro LED檢測技術(shù)瓶頸的主要原因之一 。
維修技術(shù)： Micro LED維修方案，現(xiàn)階段有紫外線照射維修技術(shù)、激光融斷維修技術(shù) 、選擇性拾取維修技術(shù)、選擇性激光維修技術(shù)及備援電路設計方案等。
